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mos管和三极管相比优缺点?

mos管和三极管相比优缺点?

1. 场效应管和三极管输入电阻的差异?
答:1)场效应管是单极、三极管是双极区别。
2)解决问题方面:场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据 漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻。而三极管要先建立模型,然后进行电路分析 ,求解过程特别是计算很复杂,容易出错;总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些。
3)三极管和场效应管的比较可以归纳以下几点:
一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用BJT表示;而场效应管只有多子导电,称为单极型器 件,用FET表示。由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适。这也 就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。
二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放 大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω。
三、场效应管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接 ,使用时就不能互换)。对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活。三极管的集电极和发射极一般不 能互换使用。
四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关。
五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成。三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定。在分立元件电路和中、 小规模集成电路中,三极管仍占优势。
六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,场效应管的转移特性按平方规律变化,因此场效应管的非线 性失真比三极管的非线性失真大。
七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于场效应管的栅 极无电流,所以输入电阻R'i≈∞。跨导gm比三极管的小一个数量级,gm我们可以用转移特性求导得到。
4)三极管可以说是电流控制电流源的器件,而电流是通过输入电阻的大小来体现的;但场效应管是电压控制电流源的器 件。
5)记住四种mos管的特性曲线的方法:
只需记住n沟道的emos管的曲线,它的Vgs是大于0的,且曲线呈递增趋势。而p沟道的emos的Vgs是小于0的,且呈现递减 趋势。dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n沟道递增,p沟道递减的曲线特征就可以将dmos的特性曲线 记住了。
6.1)场效应管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件;2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件 ,而三级管既有多子,也有少子导电,称之为双极性器件;3)场效应管灵活性比三级管好;4)场效应管的制造工艺更 适合于集成电路。
2. mos管用途?
现有的很多小信号放大电路都是由晶体管或MOS管的放大电路构成,其功率有限,不能把电路的功率做得很大。随着现代 逆变技术的逐步成熟,尤其是SPWM逆变技术,使信号波形能够很好地在输出端重现,并且可以做到高电压,大电流,大 功率。
SPWM技术的实现方法有两种,一种是采用模拟集成电路完成正弦调制波与三角波载波的比较,产生SPWM信号;另一种是 采用数字方法。
随着应用的深入和集成技术的发展,已商品化的专用集成电路(ASIC)和专用单片机(8X196/MC/MD/MH)以及DSP,可以 使控制电路结构简化,集成度高。由于数字芯片一般价格比较高,所以在此采用模拟集成电路。主电路采用全桥逆变结 构,SPWM波的产生采用UC3637双PWM控制芯片,并采用美国IR公司推出的高压浮动驱动集成模块IR2110,从而减小了装置 的体积,降低了成本,提高了系统的可靠性。经本电路放大后,信号可达3kV,并保持了良好的输出波形。

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